RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
44
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2790
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link