RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
65
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.7
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
1768
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link