RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
65
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.7
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
1768
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link