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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
65
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.7
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
1,711.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
39
Velocità di lettura, GB/s
4,018.7
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,711.1
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
1768
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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