RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
66
Autour de -25% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,978.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
53
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2356
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link