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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
66
Autour de -25% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,978.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
53
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2356
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
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Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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