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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
66
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,978.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
53
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
2356
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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