SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 10.3
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    53 left arrow 66
    En -25% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.7 left arrow 2,978.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 6400
    En 4 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    66 left arrow 53
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,929.1 left arrow 10.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,978.2 left arrow 7.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    511 left arrow 2356
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones