RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de -146% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
3009
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link