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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
59
左右 -146% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
24
读取速度,GB/s
4,723.5
16.8
写入速度,GB/s
2,076.1
13.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3009
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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