RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3009
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link