RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
59
Autour de -74% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2319
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link