RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
59
Autour de -51% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2782
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link