RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
59
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2782
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link