RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
60
Autour de -114% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
28
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
2417
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Mushkin 992031 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link