Comparaison de la RAM SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Note globale

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Raisons de considérer
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 60

Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

5.3 2,381.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 6400

Autour de 2.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

925 1740

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns