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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
60
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.3
2,381.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
31
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
5.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
1740
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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