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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.3
2,381.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
5,082.2
10.4
写入速度,GB/s
2,381.6
5.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
1740
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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