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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
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Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
13.6
13.7
写入速度,GB/s
8.3
9.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
2636
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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