Comparaison de la RAM SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8,883.4 15.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 44

Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.5 14

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 5300

Autour de 4.83 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2811 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns