RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
3649
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link