Confronto tra le RAM SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8,883.4 15.5

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 44

Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 14

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 5300

Intorno 4.83 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2811 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns