RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
63
Autour de -75% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
2474
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link