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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Comparez
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Note globale
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1453
2427
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaison des RAM
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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