RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Comparez
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Note globale
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
54
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,781.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,269.3
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,781.8
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
618
2443
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link