RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
AMD R744G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
76
Autour de 59% latence réduite
Raisons de considérer
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
76
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
1809
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaison des RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link