RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
76
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
76
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1990
1809
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Porównanie pamięci RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link