RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
3076
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaison des RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3L/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link