RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
3076
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaison des RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link