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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2952
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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