RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
50
Autour de -52% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3386
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link