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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
50
Autour de -52% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3141
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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