RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
50
Autour de -56% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2949
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link