RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
50
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3998
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link