RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
50
Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2904
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link