RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Comparez
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Note globale
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
41
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2028
3015
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link