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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
87
Autour de -89% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
46
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2541
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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