RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
87
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2541
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link