RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
87
Autour de -211% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3550
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link