RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
87
Por volta de -211% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
15.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3550
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link