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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
18.6
写入速度,GB/s
870.4
15.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3550
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
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Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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