RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
3160
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link