RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
25
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
22.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
19.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
4251
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link