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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
25
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.4
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
21
Velocità di lettura, GB/s
12.5
22.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
19.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
4251
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
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