RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
2865
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link