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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
96
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
39
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2159
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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