RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
96
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2159
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link