RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
96
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
39
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2159
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link