Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

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Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 29
    Autour de 14% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.8 left arrow 12.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.0 left arrow 7.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 29
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.6 left arrow 13.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.7 left arrow 11.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1381 left arrow 2690
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons