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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2354
3498
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparaison des RAM
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Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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