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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Note globale
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
44
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1853
2340
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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