RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
2340
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link