RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
2340
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link